使用两个基准电压来提高滞后量准确性

在先进的IC比较器中，可编程滞后量消除了以OV为中心的差分输入电压噪声（参考文献1）．并且如果比较器的差分输入电压很低．或者随时问变化的速度很慢．则可以改善它的响应。例如．Analog Devices公司的ADCMP609比较器使你能用一个电阻把它的滞后量设定在0至160mV之间．该电阻连在HYS（即“滞后量”）引脚和地之间。但上述电压范围对于某些应用也许太窄。

改善比较器瞬态响应的肖特基二极管

在以前的一篇设计实例中．一条电路把精确DC基准电压切换到高速IC比较器的非逆变输入端（参考文献1）。该电路使用一个先断后连（BBM）方式工作的2：1多路复用器。多路复用器有寄生电容．后者向多路复用器的D1漏极注入的电荷QD1NJ可能会导致比较器的基准输入端出现误差电压（图1）。以下方程定义了峰值误差电压的近似值：

隔离式MOSFET驱动器IC功效在轻载时得到改善

许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值，甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而．对于大功率MOSFET．特别是绝缘栅极双极晶体管（IGBT）．工程师更希望栅极到源极电压为12V-15V．因为这些电源开关的导通电阻在高栅极到源极电压情况下会进一步降低。

高速箝位结构用于脉冲形成电路

正反馈放大器是信号级脉冲形成电路的基础。这种装置确保了输入信号超过输入阈值时的类触发作用：在大多数情况下．输入信号为电压信号。最著名的触发器为施密特触发器（今年它将迎来70周年生日）。英国科学家OH Schmltt在1938年以两级运放带电流反馈的形式，发明了施密特触发器，其中的两个有源器件为电子管。