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不改变光刻波长实现45nm半节距
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作者 mark slezak Zhi Liu 《集成电路应用》 2007年第4期38-42,共5页
最近的两年多以来.65nm半节距(HP)光刻.传统上叫做45nm节点.在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案.然而大多数逻辑和存储器公司最终决定.在最具挑战性的关键层中结合使用ArF干法、ArF浸没式和/或一些双... 最近的两年多以来.65nm半节距(HP)光刻.传统上叫做45nm节点.在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案.然而大多数逻辑和存储器公司最终决定.在最具挑战性的关键层中结合使用ArF干法、ArF浸没式和/或一些双重硬掩膜方法。 展开更多
关键词 光刻 节距 波长 技术选择 ARF 关键层 挑战性 存储器
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