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刻蚀实现双重图形的前景
1
作者
Raghu Balasubramanian
Andy Romano
marshall benham
《集成电路应用》
2008年第4期34-35,共2页
双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力,要求低于1.5nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。
关键词
双重图形
刻蚀
均匀性
下载PDF
职称材料
题名
刻蚀实现双重图形的前景
1
作者
Raghu Balasubramanian
Andy Romano
marshall benham
机构
Lam Research Corp.
出处
《集成电路应用》
2008年第4期34-35,共2页
文摘
双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力,要求低于1.5nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。
关键词
双重图形
刻蚀
均匀性
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
刻蚀实现双重图形的前景
Raghu Balasubramanian
Andy Romano
marshall benham
《集成电路应用》
2008
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