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刻蚀实现双重图形的前景
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作者 Raghu Balasubramanian Andy Romano marshall benham 《集成电路应用》 2008年第4期34-35,共2页
双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力,要求低于1.5nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。
关键词 双重图形 刻蚀 均匀性
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