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具有快速开关和低V_(CESAT)的1200V碳化硅双极性晶体管
1
作者
martin domeij
《世界电子元器件》
2012年第6期40-41,共2页
由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接...
由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。
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关键词
双极性晶体管
快速开关
碳化硅
电力电子设备
低功率损耗
能源效率
功率半导体
半导体器件
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职称材料
题名
具有快速开关和低V_(CESAT)的1200V碳化硅双极性晶体管
1
作者
martin domeij
机构
飞兆半导体
出处
《世界电子元器件》
2012年第6期40-41,共2页
文摘
由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。
关键词
双极性晶体管
快速开关
碳化硅
电力电子设备
低功率损耗
能源效率
功率半导体
半导体器件
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
具有快速开关和低V_(CESAT)的1200V碳化硅双极性晶体管
martin domeij
《世界电子元器件》
2012
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