使用活化探测器和成像盘技术相结合的方法测量混凝土屏蔽体内中子空间分布

描述了1种联合使用活化探测器和成像盘技术(IP)探测中子注量的方法。利用这种方法,测量了高能中子束线装置KENS(KEK spallation neutron source facility)中混凝土屏蔽体内中子的空间分布。高能中子注量衰减的实验结果与使用蒙特卡罗程序MARS14模拟计算的结果符合很好。结果表明,联合使用活化探测器和成像盘技术可以同时测量多个位置的中子注量,直观展现出混凝土屏蔽体内中子强度的分布。

InGaN基发光二极管和激光二极管(英文)

在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外延生长的GaN激光二极管 (LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的。在温度 2 5 0℃、30mW输出的连续工作状态下 ,其工作电流小于 4 2mA ,6 0 0℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为1 5 0 0 0小时。这些结果表明 ,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命。此外 ,良好的散热也是很重要的。

InGaN基发光二极管和激光二极管(英文)

在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外延生长的GaN激光二极管 (LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的。在温度 2 5 0℃、30mW输出的连续工作状态下 ,其工作电流小于 4 2mA ,6 0 0℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为1 5 0 0 0小时。这些结果表明 ,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命。此外 ,良好的散热也是很重要的。