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高k材料/金属栅电极迈向大规模量产
被引量:
2
1
作者
Reza Arghavani
Gary Miner
melody agustin
《集成电路应用》
2008年第1期28-32,39,共6页
到了45纳米技术节点,高介电常数绝缘材料和金属栅电极将被用于制造逻辑电路器件。而采用高金属功函数和能隙工程电荷陷阱的闪存也能从这些项技术中获益。
关键词
栅电极
金属
高K材料
模量
技术节点
高介电常数
电路器件
绝缘材料
下载PDF
职称材料
题名
高k材料/金属栅电极迈向大规模量产
被引量:
2
1
作者
Reza Arghavani
Gary Miner
melody agustin
机构
Applied Materials Inc
出处
《集成电路应用》
2008年第1期28-32,39,共6页
文摘
到了45纳米技术节点,高介电常数绝缘材料和金属栅电极将被用于制造逻辑电路器件。而采用高金属功函数和能隙工程电荷陷阱的闪存也能从这些项技术中获益。
关键词
栅电极
金属
高K材料
模量
技术节点
高介电常数
电路器件
绝缘材料
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TG174.445 [金属学及工艺—金属表面处理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高k材料/金属栅电极迈向大规模量产
Reza Arghavani
Gary Miner
melody agustin
《集成电路应用》
2008
2
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职称材料
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