用于未来轨道牵引电路的双SiC MOSFET模块的特性检测

硅IGBT已经广泛用于轨道牵引变频器,不久的将来,碳化硅(SiC)技术将在3个方向上进一步扩展开关器件的极限:更高的阻断电压、更高的工作温度和更高的开关速度。如今,第一批SiC MOSFET模块已经有效的投向市场,并且很有希望。虽然目前在阻断电压方面仍有待提高,但这些宽禁带器件将大大改善牵引电路的效率,尤其是在开关损耗上预期会有显著的降低,从而导致功率-重量比的大幅改善。

用于未来铁路牵引链的SiC MOSFET对偶模块特性

SI基IGBT广泛的应用于铁路牵引变换器上,而在不远的将来,SiC将有望在三个方面突破开关器件的极限:高闭锁电压,高工作温度和高开关速度。如今,第一代SiC MOSFET模块已经在市场出现,并且前景很好。虽然仍旧受限于击穿电压,但这种大间隙器件还是会提高牵引链效率。特别是有望能够明显的降低开关损失,从而能够提高功率重量比。