期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术
被引量:
1
1
作者
Vincent Charbois
Julie Lebreton
+5 位作者
Mylène Savoye
Eric Labonne
Antoine Labourier
Benjamin Dumont
Chet Lenox
mike von den hof
《电子工业专用设备》
2017年第1期8-13,共6页
介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善。介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块而实施的。
关键词
缺陷检测与减少(DI)
成品率改善/学习(YE)
下载PDF
职称材料
题名
20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术
被引量:
1
1
作者
Vincent Charbois
Julie Lebreton
Mylène Savoye
Eric Labonne
Antoine Labourier
Benjamin Dumont
Chet Lenox
mike von den hof
机构
STMicroelectronics Crolles
KLA-Tencor公司
出处
《电子工业专用设备》
2017年第1期8-13,共6页
文摘
介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善。介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块而实施的。
关键词
缺陷检测与减少(DI)
成品率改善/学习(YE)
Keywords
Defect inspection and reduction
Yield ramp
分类号
TN451 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术
Vincent Charbois
Julie Lebreton
Mylène Savoye
Eric Labonne
Antoine Labourier
Benjamin Dumont
Chet Lenox
mike von den hof
《电子工业专用设备》
2017
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部