硅浅结紫外光探测器的研究

采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明 ,这种探测器能够有效地探测波长为 2 0 0nm至 4 0 0nm的紫外光。

200～1100nm光响应测试系统的研制

设计并制作了 2 0 0～ 110 0nm的光响应测试系统 ,该系统工作稳定可靠 ,并可消除光源抖动和突发性光源对测试的影响。