4500V强注入型绝缘栅双极晶体管(IEGT)

首次提出了一种新型的MOS门极晶体管结构IEGT,由于增强了电子的注入,载流子分布与晶闸管相似,器件电压达4 500V时仍能保持低的正向压降。 根据简单的一维模型分析可以相当精确地预测电流电压曲线并阐述适用于IEGT运行的新设计方法。 所做出的4 500V IEGT在100 A/cm^2下的正向压降只有2.5 V,而在该压降下,IEGT的电流密度是普通挖槽门极IGBT的10倍以上。 理论与实验均证实了IEGT的运行模式。