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反应磁控溅射沉积纳米多孔BiVO4薄膜光催化剂:总压力和基底的影响
被引量:
1
1
作者
Siavash BAKHTIARNIA
Saeed SHEIBANI
+2 位作者
Alain BILLARD
Eric AUBRY
mohammad arab pour yazdi
《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2022年第3期957-971,共15页
使用脉冲直流电源、金属Bi和V靶材,在氩气和氧气气氛保护下,通过反应磁控溅射法在不同基板上沉积纳米多孔BiVO;薄膜,然后在空气中进行后退火处理,形成具有光敏性的单斜白钨矿晶体。研究总压力和基底对薄膜晶体结构、形貌、显微组织、光...
使用脉冲直流电源、金属Bi和V靶材,在氩气和氧气气氛保护下,通过反应磁控溅射法在不同基板上沉积纳米多孔BiVO;薄膜,然后在空气中进行后退火处理,形成具有光敏性的单斜白钨矿晶体。研究总压力和基底对薄膜晶体结构、形貌、显微组织、光学和光催化性能的影响。结果表明,在石英玻璃基底上沉积的单斜白钨矿结构于250℃开始结晶,薄膜在600℃时达到稳定。即使在较高的溅射压力(>2 Pa)下,薄膜的形貌也相当致密,且嵌有纳米孔。以石英玻璃为基体沉积的薄膜,在4.5 Pa条件下具有最高的孔隙率(52%),最低的能带隙(2.44 eV),且具有最高的在可见光照射下降解罗丹明-B的光催化活性(7h后为26%)。在硅基底上沉积的薄膜表现出最高的光活性(7 h后为53%)。薄膜在UV-Vis吸收光谱中缺乏蓝移,表明光解过程中以发色团裂解为主。
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关键词
光催化
BiVO
薄膜
溅射
纳米多孔薄膜
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职称材料
题名
反应磁控溅射沉积纳米多孔BiVO4薄膜光催化剂:总压力和基底的影响
被引量:
1
1
作者
Siavash BAKHTIARNIA
Saeed SHEIBANI
Alain BILLARD
Eric AUBRY
mohammad arab pour yazdi
机构
School of Metallurgy and Materials Engineering
Institut FEMTO-ST
出处
《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2022年第3期957-971,共15页
基金
the supports of this study by the Iran National Science Foundation (No. 98001285)
Pays de Montbéliard Agglomération (France) for the support of this work。
文摘
使用脉冲直流电源、金属Bi和V靶材,在氩气和氧气气氛保护下,通过反应磁控溅射法在不同基板上沉积纳米多孔BiVO;薄膜,然后在空气中进行后退火处理,形成具有光敏性的单斜白钨矿晶体。研究总压力和基底对薄膜晶体结构、形貌、显微组织、光学和光催化性能的影响。结果表明,在石英玻璃基底上沉积的单斜白钨矿结构于250℃开始结晶,薄膜在600℃时达到稳定。即使在较高的溅射压力(>2 Pa)下,薄膜的形貌也相当致密,且嵌有纳米孔。以石英玻璃为基体沉积的薄膜,在4.5 Pa条件下具有最高的孔隙率(52%),最低的能带隙(2.44 eV),且具有最高的在可见光照射下降解罗丹明-B的光催化活性(7h后为26%)。在硅基底上沉积的薄膜表现出最高的光活性(7 h后为53%)。薄膜在UV-Vis吸收光谱中缺乏蓝移,表明光解过程中以发色团裂解为主。
关键词
光催化
BiVO
薄膜
溅射
纳米多孔薄膜
Keywords
photocatalysis
BiVO4
thin film
sputtering
nanoporous film
分类号
O643.36 [理学—物理化学]
O644.1 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反应磁控溅射沉积纳米多孔BiVO4薄膜光催化剂:总压力和基底的影响
Siavash BAKHTIARNIA
Saeed SHEIBANI
Alain BILLARD
Eric AUBRY
mohammad arab pour yazdi
《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2022
1
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