直拉式单晶硅生长炉超导磁体研究

高集成度芯片发展使半导体行业对硅单晶材料提出尺寸与质量的要求。直拉法(Cz法)可生成大尺寸硅单晶,但生长中产生热对流,边界层不稳定,晶体易生杂质。因磁场对导电熔体内对流有抑制效果,通过外加磁场可提高生成大尺寸晶体的品质。基于现有研究结果提出了一种用于单晶炉的瓦状结构超导磁体,确定线圈结构参数、导体类型、屏蔽体厚度及磁芯高度,使其满足大尺寸、高品质单晶硅生长所需的磁场强度(约0.5T)及磁场位型,从而降低漏磁。借助数值分析优化超导磁体结构参数,有望为后续的MCZ硅单晶生长工艺参数提供参考。

45kV薄壁加热器环氧树脂高温绝缘试验研究

环氧树脂是45 kV级薄壁加热器主要绝缘材料,它在高温、高电压状态下的绝缘性能对设备的安全至关重要。本文将环氧树脂样品经高温处理后通过红外光谱测试、介电常数测试、直流耐压测试研究材料的物化性质变化。在结果中观察到了环氧树脂材料的表面和内部的差异性变化,在材料表层发生了氧化反应,有酰胺、酮以及羧酸的产生,在内部发生了二次固化反应。研究发现材料的整体耐压强度与加热时间正相关、与加热温度正相关。实验证明等于或低于140℃温度条件下环氧树脂材料的绝缘性能安全可靠。