InGaN基发光二极管和激光二极管(英文)

在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外延生长的GaN激光二极管 (LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的。在温度 2 5 0℃、30mW输出的连续工作状态下 ,其工作电流小于 4 2mA ,6 0 0℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为1 5 0 0 0小时。这些结果表明 ,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命。此外 ,良好的散热也是很重要的。

InGaN基发光二极管和激光二极管(英文)

在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外延生长的GaN激光二极管 (LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的。在温度 2 5 0℃、30mW输出的连续工作状态下 ,其工作电流小于 4 2mA ,6 0 0℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为1 5 0 0 0小时。这些结果表明 ,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命。此外 ,良好的散热也是很重要的。

【评论】右半结肠癌腹腔镜结肠切除术联合完整结肠系膜切除术和D3淋巴结清扫术的尾侧与内侧入路比较:一项倾向性评分匹配分析

目的:在腹腔镜结肠切除术联合完整结肠系膜切除术(com⁃plete mesocolic excision,CME)和D3淋巴结清扫术(D3 lymph⁃adenectomy,LND3)治疗右半结肠癌中,本机构根据外科医师的偏好选择了尾侧入路(inferior approach,IA)或内侧入路(medial approach,MA)。本研究比较IA和MA的治疗结局。