二合一芯片

由于整合开关器件与反并联二极管这一概念具有难以攻克的技术挑战，因此近年来这一技术仅被用于低功率组件（如IGBT和MOSFET）以及特殊应用。另外，IGCT等大面积双极型器件已经采用了单片集成技术，但其中的IGCT和二：极管需要完全分离的硅区。