P和α引起Al原子内壳层多电离的研究

本文用高分辨弯晶谱仪对0.666MeV/amu的质子和α粒子激发Al的K_αx射线进行了研究。测量了K壳层一个空位和L壳层多个空位产生的x射线相对强度比。将测定的平均电离几率P_L(E_i,0)和BEA理论的预言值进行了比较。结果表明:BEA理论对质子和α的数据符合得很好。

3MeV^(12)C^+引起Al原子内壳层多空离的研究

本文用能量分辨本领为2.40V的弯晶谱仪,对3MeV^(12)C^+轰击Al的K_aX射线进行了高分辨研究,测量了K壳层一个空位和L壳层多个空位产生X射线的相对强度比,测定平均电离几率(E_1,o)为0.312±0.002。对实验装置和方法作了较详细的介绍。

~4HeH^+核间距的实验测定

用MeV量级4 HeH+在超薄无衬碳膜中的库仑爆炸 ,获得高频离子源产生4 HeH+核间距的实测值为 0 .0 94±0 .0 0 3nm .发现4 HeH+与H+2 ,H+3 不一样 ,其核间距大小和离子源种类及离子源参数有密切关系 ,并从4 HeH+的形成机理与形成条件 ,解释了高频离子源和双等离子源产生4

用Coulomb爆炸实测~4HeD^+的键长

用 1 46 8 0MeV4HeD+ 在超薄无衬碳膜中的Coulomb爆炸 ,获得4HeD+ 的键长实测值为 (0 0 97± 0 0 0 3)nm .讨论了4HeD+ 的形成机理 .介绍了 4HeD+ 原始束中D+ 3 污染的降低 ,及产物4He+ + 和D+ 高分辨能谱测量中的粒子鉴别方法等 .