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用AlGaAs/GaAs HBT技术的9GHz带宽、8~20dB可控增益单片放大器
1
作者
n.ishihara
王柏年
《半导体情报》
1991年第3期57-58,56,共3页
应用AlGaAs/GaAs HBT技术,以单片形式开发了一种宽带、可控增益放大器。这种放大器采用一种新的并联反馈技术,它能提高带宽,并能控制增益使直流电压输出保持为常数。这种IC的带宽已达DC-9GHz,可控增益范围达到8~20dB,在电源电压为9V时...
应用AlGaAs/GaAs HBT技术,以单片形式开发了一种宽带、可控增益放大器。这种放大器采用一种新的并联反馈技术,它能提高带宽,并能控制增益使直流电压输出保持为常数。这种IC的带宽已达DC-9GHz,可控增益范围达到8~20dB,在电源电压为9V时,总的功率耗散为640mW。
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关键词
单片放大器
放大器
ALGAAS/GAAS
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职称材料
题名
用AlGaAs/GaAs HBT技术的9GHz带宽、8~20dB可控增益单片放大器
1
作者
n.ishihara
王柏年
出处
《半导体情报》
1991年第3期57-58,56,共3页
文摘
应用AlGaAs/GaAs HBT技术,以单片形式开发了一种宽带、可控增益放大器。这种放大器采用一种新的并联反馈技术,它能提高带宽,并能控制增益使直流电压输出保持为常数。这种IC的带宽已达DC-9GHz,可控增益范围达到8~20dB,在电源电压为9V时,总的功率耗散为640mW。
关键词
单片放大器
放大器
ALGAAS/GAAS
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用AlGaAs/GaAs HBT技术的9GHz带宽、8~20dB可控增益单片放大器
n.ishihara
王柏年
《半导体情报》
1991
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