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Growth of silicon nanowires in aqueous solution under atmospheric pressure
被引量:
2
1
作者
nae-man park
Chel-Jong Choi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2014年第6期898-902,共5页
关键词
硅纳米线
溶液生长
大气压
水溶液
扫描电子显微镜
透射电子显微镜
粉末X射线衍射
六边形结构
原文传递
题名
Growth of silicon nanowires in aqueous solution under atmospheric pressure
被引量:
2
1
作者
nae-man park
Chel-Jong Choi
机构
Components and Materials Laboratory
School of Semiconductor and Chemical Engineering
出处
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2014年第6期898-902,共5页
关键词
硅纳米线
溶液生长
大气压
水溶液
扫描电子显微镜
透射电子显微镜
粉末X射线衍射
六边形结构
Keywords
Silicon nanowire,solution process,metal catalyst,hexagonal crystalline phase
分类号
O461.21 [理学—电子物理学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
Growth of silicon nanowires in aqueous solution under atmospheric pressure
nae-man park
Chel-Jong Choi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2014
2
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