期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
IrSi肖特基势垒红外图象传感器
1
作者 naoki yutani 程开富 《应用光学》 CAS CSCD 1991年第1期24-27,共4页
已经研制成功有512×512元的IrSi肖特基势垒红外图象传感器。该器件使用电荷扫借器件(CSD)结构。采用的探测器是截止波长为7.3μm的IrSi/p—Si肖特基势垒(SB)二极管。为了减少热产生的暗电流,器件致冷到62K。器件按NTSC帧速(30帧/秒... 已经研制成功有512×512元的IrSi肖特基势垒红外图象传感器。该器件使用电荷扫借器件(CSD)结构。采用的探测器是截止波长为7.3μm的IrSi/p—Si肖特基势垒(SB)二极管。为了减少热产生的暗电流,器件致冷到62K。器件按NTSC帧速(30帧/秒)工作。本文用实例对应用这种器件的热成象系统予以说明。 展开更多
关键词 IrSi 肖特基势垒 红外 图象传感器
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部