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自组装InGaN/GaN量子点的研究进展
被引量:
1
1
作者
李嘉炜
叶志镇
nasser n m
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期77-80,共4页
GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InG...
GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InGaN/GaN量子点做了较详细的介绍 。
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关键词
INGAN
量子点
生长模式
发光特性
制造工艺
下载PDF
职称材料
题名
自组装InGaN/GaN量子点的研究进展
被引量:
1
1
作者
李嘉炜
叶志镇
nasser n m
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期77-80,共4页
文摘
GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InGaN/GaN量子点做了较详细的介绍 。
关键词
INGAN
量子点
生长模式
发光特性
制造工艺
Keywords
InGaN
QDs
growth mode
optical properties
fabrication
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自组装InGaN/GaN量子点的研究进展
李嘉炜
叶志镇
nasser n m
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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