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自组装InGaN/GaN量子点的研究进展 被引量:1
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作者 李嘉炜 叶志镇 nasser n m 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期77-80,共4页
GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InG... GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InGaN/GaN量子点做了较详细的介绍 。 展开更多
关键词 INGAN 量子点 生长模式 发光特性 制造工艺
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