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采用全栅型CSTBT^(TM)和镜像发射极检测技术的V1系列IPM
1
作者
Marco Honsberg
Thomas Radke
+1 位作者
nishida nobuya
Uota Shiori
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2010年第9期106-108,共3页
为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率,V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kV,电流等级为200A/300 A/450 A,以及电压...
为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率,V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kV,电流等级为200A/300 A/450 A,以及电压等级为600 V,电流为400 A/600 A。硅片技术和结构的改善有效地降低了V1系列IPM的结温,从而增加功率循环和热循环能力。同时,V1系列IPM的引脚与之前的2单元V系列IPM兼容。
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关键词
电源
智能功率模块
绝缘栅双极型晶体管
电机驱动
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职称材料
题名
采用全栅型CSTBT^(TM)和镜像发射极检测技术的V1系列IPM
1
作者
Marco Honsberg
Thomas Radke
nishida nobuya
Uota Shiori
机构
三菱电机欧洲
三菱电机功率器件福岡制作所
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2010年第9期106-108,共3页
文摘
为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率,V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kV,电流等级为200A/300 A/450 A,以及电压等级为600 V,电流为400 A/600 A。硅片技术和结构的改善有效地降低了V1系列IPM的结温,从而增加功率循环和热循环能力。同时,V1系列IPM的引脚与之前的2单元V系列IPM兼容。
关键词
电源
智能功率模块
绝缘栅双极型晶体管
电机驱动
Keywords
power supply
intelligent power module
insulated gate bipolar transistor
motor driver
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
采用全栅型CSTBT^(TM)和镜像发射极检测技术的V1系列IPM
Marco Honsberg
Thomas Radke
nishida nobuya
Uota Shiori
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2010
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