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采用全栅型CSTBT^(TM)和镜像发射极检测技术的V1系列IPM
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作者 Marco Honsberg Thomas Radke +1 位作者 nishida nobuya Uota Shiori 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2010年第9期106-108,共3页
为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率,V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kV,电流等级为200A/300 A/450 A,以及电压... 为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率,V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kV,电流等级为200A/300 A/450 A,以及电压等级为600 V,电流为400 A/600 A。硅片技术和结构的改善有效地降低了V1系列IPM的结温,从而增加功率循环和热循环能力。同时,V1系列IPM的引脚与之前的2单元V系列IPM兼容。 展开更多
关键词 电源 智能功率模块 绝缘栅双极型晶体管 电机驱动
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