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多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应
被引量:
3
1
作者
祝向荣
沈鸿烈
+7 位作者
沈勤我
邹世昌
TsukamotoKoichi
YanagisawaTakeshi
ItoToshimitsu
HiguchiNoboru
okadayasumasa
OkutomiMamoru
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期915-920,共6页
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度Tc为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K~室温的温度范围内,材料都...
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度Tc为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K~室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处;晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.
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关键词
巨磁电阻
金属
半导体
稀土锰氧化物
铁磁材料
下载PDF
职称材料
题名
多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应
被引量:
3
1
作者
祝向荣
沈鸿烈
沈勤我
邹世昌
TsukamotoKoichi
YanagisawaTakeshi
ItoToshimitsu
HiguchiNoboru
okadayasumasa
OkutomiMamoru
机构
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
ElectrotechnicalLaboratory
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期915-920,共6页
基金
中国科学院上海冶金研究所与日本通产省电子技术综合研究所合作课题
文摘
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度Tc为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K~室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处;晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.
关键词
巨磁电阻
金属
半导体
稀土锰氧化物
铁磁材料
Keywords
GMR, metal-semiconductor transition temperature, polycrystalline
分类号
TM271.014 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应
祝向荣
沈鸿烈
沈勤我
邹世昌
TsukamotoKoichi
YanagisawaTakeshi
ItoToshimitsu
HiguchiNoboru
okadayasumasa
OkutomiMamoru
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
3
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职称材料
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