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多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应 被引量:3
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作者 祝向荣 沈鸿烈 +7 位作者 沈勤我 邹世昌 TsukamotoKoichi YanagisawaTakeshi ItoToshimitsu HiguchiNoboru okadayasumasa OkutomiMamoru 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期915-920,共6页
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度Tc为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K~室温的温度范围内,材料都... 利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度Tc为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K~室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处;晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失. 展开更多
关键词 巨磁电阻 金属 半导体 稀土锰氧化物 铁磁材料
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