等离子体处理过的基板上液晶平行取向的两种模式

我们提出了一种用于液晶盒的新取向工艺,可以得到0或非0的预倾角。这项工艺是用定向的等离子体流倾斜辐照基板。我们用一个阳极层发射器(anodelagerthruster)作为等离子体辐射源,以产生层状的等离子体流。它适合于处理大面积基板,可以处理有机(聚合物)和无机(玻璃,ITO)层。等离子体流辐照可以得到两种类型的液晶取向:(1)最可及(择优)取向轴位于离子束方向和基板法线组成的入射平面上;(2)最可及取向轴垂直于入射面。随着照射总剂量的增加,取向方向可以从类型(1)向类型(2)转变。在第一种取向模式中,可以通过改变工艺参数,如入射角、离子流密度和离子能等来改变预倾角。第二种取向模式的特征是预倾角为0。第一种模式的方位锚泊能系数相对较弱(W=10-3 Erg/cm2),而第二种类型锚泊能很强(W>10-1 Erg/cm2),与摩擦聚合物基板相当。两种模式的取向特征可以用来产生满足所需参数的取向,和构图(pattern)液晶盒基板。这种工艺方法可以克服传统摩擦工艺的某些缺点。

用静态和动态辐射等离子流处理基板上的液晶取向

在本文,我们介绍关于液晶取向的新成果,基板用阳极分层推进器(anodelayersthruster,ALT)产生的加速氩等离子体“层(sheet)”作倾斜处理。由有机的(聚合物)和无机的(玻璃,类金刚石(DLC),二氧化硅等)原材料做成的基板,用等离子体流在静态和动态(垂直于等离子体层方向单向变化)方式下进行处理。对于正性液晶(△ε>0),在两种方式下观察到两种取向模式:易取向轴限制在入射等离子层平面内(模式1)或垂直于这个平面(模式2)。在第1种取向模式中,液晶的预倾角不等于零,并且随着等离子体束入射角和辐射量而变化,其均匀性在动态辐射中更好。随着辐射的增强,会发生模式1到模式2的转变。应用于垂面取向液晶显示器(VALCD)的负性液晶混合物(△ε<0),只有第1种模式(在整个基板上一致取向)被观察到,在辐射量低或高(正性液晶出现第2种取向模式时的相对高的辐射量)时都能出现。预倾角可高达30°,由等离子束的辐射量和入射角来控制。第2种模式在高辐射下出现,并且只在静态方式下,位于等离子层中心的、比较密集的区域,而第1种取向模式在其外围。模式1和模式2由狭窄的过渡区分开,该区呈现多畴液晶取向(二重简并)。这些畴的易取向轴相对于模式1中取向方向大约偏转±45°。对于负性液晶,由模式1到二重简并到模式2转变的取向方式,?