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V_2O_5薄膜的电学性质及其应用
被引量：
7
1
作者
童茂松
戴国瑞
+2 位作者
高鼎三
Galina Zakharova
olga pozdniakova
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第10期36-38,10,共4页
综述了V_2O_5薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。
关键词
电致变色
敏感特性
氧化钒薄膜
结构
电学性质
下载PDF
职称材料
题名
V_2O_5薄膜的电学性质及其应用
被引量：
7
1
作者
童茂松
戴国瑞
高鼎三
Galina Zakharova
olga pozdniakova
机构
吉林大学电子工程系
俄罗斯科学院乌拉尔分院固态化学研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第10期36-38,10,共4页
基金
国家自然科学基金(项目号69776038)
文摘
综述了V_2O_5薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。
关键词
电致变色
敏感特性
氧化钒薄膜
结构
电学性质
Keywords
vanadium pentoxlde thin films .electrochromlc .sensing properties .voltage switch
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
V_2O_5薄膜的电学性质及其应用
童茂松
戴国瑞
高鼎三
Galina Zakharova
olga pozdniakova
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
7
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职称材料
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