化学汽相淀积用硅源气体

化学汽相淀积(CVD)用硅源气体通常有4种:硅烷(SiH_4);二氯硅烷(SiH_2Cl_2);三氯硅烷(SiHCl_3)和四氯化硅(SiCl_4)。硅烷是CVD应用中采用的第一种硅源气体。二氯硅烷仅用在半导体工业中,形成外延层、氧化层、氮化层及偶尔用于多晶硅层。三氯硅烷用于生产多晶硅。四氯化硅是硅酮制造业中使用的一种重要化学成份,少量用于光导纤维制造中,约500000磅(～226800kg)用于半导体工业,主要是外延淀积中。从硅烷到四氯化硅,随着分子量的增加,蒸汽压降低,沸点和临界温度升高。生成热变成放热也越来越显著。