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富钙CaGe:YIG薄膜铁磁共振线宽随外场角度的变化
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作者 韩志全 p. e. wigen p. De Gasperis 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第23期1785-1787,共3页
铁磁共振线宽关系到材料的微波损耗。富钙CaGe:YIG薄膜具有磁矩的异常补偿点和电导率的光效应等有趣特性。因此研究其共振线宽随外磁场方向的变化是很有必要的。曾有人对Ca:YIG薄膜的线宽与外场方向的关系用涡流机制进行过解释。这一损... 铁磁共振线宽关系到材料的微波损耗。富钙CaGe:YIG薄膜具有磁矩的异常补偿点和电导率的光效应等有趣特性。因此研究其共振线宽随外磁场方向的变化是很有必要的。曾有人对Ca:YIG薄膜的线宽与外场方向的关系用涡流机制进行过解释。这一损耗机制在Ca:YIG薄膜中也为线宽随面积而增加的观测结果所证实。通常认为,Fe^(4+)快弛豫离子(与Ca^(2+)或电价平衡)是Ca:YIG薄膜线宽的一个主要来源。有人以过腐蚀减薄的方法,研究了Ca:YIG薄膜的线宽与厚度的关系。 展开更多
关键词 薄膜 铁磁共振 线宽 外磁场 角度
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