纳米压印光刻技术——下一代批量生产的光刻技术(英文)

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。

生产验证的临时键合与解键合设备及技术(英文)

化合物半导体材料的应用经历了稳定的增长,尤其是在光电子产业中更为典型。这些材料的应用要求在封装之前需将衬底减薄到100μm以下。由于这种材料的易碎性,需要某种支持方式来通过各种工序对衬底进行处理。半导体行业中建造这种支持最公认的方法是临时固定这种衬底材料到刚性载体基底上。介绍了一种用全自动方式固定和解固定这类衬底的技术。通过采用各种中间基底,包括热和紫外光释放的能够预先准备和薄片状的全自动化干式黏性膜。200mm直径的这种衬底可以以片盒到片盒的方式键合到晶圆平面的这种载体上。本工艺中选用了一种保护性涂层到衬底上。一旦这种衬底固定后,便可以完成随后的减薄、通孔印刷等工序。当这种衬底被减薄和背面处理之后,第二道加工便用于从载体上解键合该衬底,再次以片盒到片盒的方式将其固定到划版的薄膜或类似的载体上。

半导体硅片键合:MEMS制造工序中的成熟技术(英文)

新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采用的不同的晶圆键合方法及其主要工艺参数要求,开发了一种新型的晶圆键合技术。