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HBT在美国应用前景:用于何时、何处?
1
作者
p.m.asbeck
东熠
焦智贤
《半导体情报》
1992年第5期31-36,共6页
本文描述了Ⅲ-Ⅴ HBT技术在美国的现状,包括实验室和制造阶段两个方面。详细说明了HBT的最重要应用,并试图从其它Ⅲ-Ⅴ技术中获得的经验来估价该技术的未来。
关键词
双极晶体管
HBT
应用
下载PDF
职称材料
题名
HBT在美国应用前景:用于何时、何处?
1
作者
p.m.asbeck
东熠
焦智贤
出处
《半导体情报》
1992年第5期31-36,共6页
文摘
本文描述了Ⅲ-Ⅴ HBT技术在美国的现状,包括实验室和制造阶段两个方面。详细说明了HBT的最重要应用,并试图从其它Ⅲ-Ⅴ技术中获得的经验来估价该技术的未来。
关键词
双极晶体管
HBT
应用
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
HBT在美国应用前景:用于何时、何处?
p.m.asbeck
东熠
焦智贤
《半导体情报》
1992
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