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用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
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作者 潘传奇 王登贵 +5 位作者 周建军 胡壮壮 严张哲 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期196-200,251,共6页
通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×1... 通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω·cm^(2),同时在250℃以内的高温环境中欧姆特性不会发生退化。在此基础上,采用低损伤凹槽栅刻蚀、叠层栅介质沉积等工艺研制出增强型p沟道GaN晶体管器件,器件的阈值电压为-1.2 V(V_(GS)=VDS,IDS=10μA/mm),漏极电流密度为-5.6 mA/mm,导通电阻为665Ω·mm(V_(GS)=-8 V,V_(DS)=-2 V)。优异的p型GaN欧姆接触技术为高性能GaN p沟道器件的研制以及GaN CMOS集成技术的小型化、智能化、高速化发展奠定了重要基础。 展开更多
关键词 GaN CMOS P型GAN p沟道器件 欧姆接触 低接触电阻
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少层氮化硼的生长机理及技术研究 被引量:1
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作者 李传皓 李忠辉 +4 位作者 彭大青 张东国 杨乾坤 潘传奇 沈睿 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第6期510-514,520,共6页
采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了... 采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了一种Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运及分时输运相结合的外延生长工艺,显著提升了二维BN材料质量,其中1μm×1μm表面粗糙度Ra为0.10 nm,光学带隙宽度为5.77 eV,拉曼E2g模式的半高宽为60.7 cm^(-1)。 展开更多
关键词 氮化硼 外延生长 少层材料 蓝宝石衬底 结晶质量提升
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1400 V/240 mΩ增强型硅基p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件
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作者 潘传奇 王登贵 +4 位作者 周建军 胡壮壮 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第1期11-15,45,共6页
基于硅基p-GaN/AlGaN/GaN异质结材料结构,研制了一款横向结构的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。通过采用自对准栅刻蚀与损伤修复技术以及低温无金欧姆合金工艺实现了较低的导通电阻,并借助于叠层介质钝化和多场板峰值... 基于硅基p-GaN/AlGaN/GaN异质结材料结构,研制了一款横向结构的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。通过采用自对准栅刻蚀与损伤修复技术以及低温无金欧姆合金工艺实现了较低的导通电阻,并借助于叠层介质钝化和多场板峰值抑制技术提升了器件的击穿特性。测试结果表明,所研制GaN器件的阈值电压为1.95 V(V_(GS)=V_(DS),IDS=0.01 mA/mm),导通电阻为240 mΩ(V_(GS)=6 V,V_(DS)=0.5 V),击穿电压高于1400 V(V_(GS)=0 V,IDS=1μA/mm),彰显了硅基p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件在1200 V等级高压应用领域的潜力。 展开更多
关键词 GaN HEMT 增强型 p-GaN栅 击穿电压 导通电阻
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Fabrication and Excellent Antibacterial Activity of Well-defined CuO/Graphdiyne Nanostructure 被引量:1
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作者 pan chuanqi LIU Xiaoxuan +8 位作者 ZHANG Xiang MAO Feihong XU Peiyan ZHU Yuhua DENG Hongtao LUO Zhu SUN Hongwei ZHANG Lizhi GUO Yanbing 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2021年第6期1341-1347,共7页
Copper oxide(CuO),due to its low cost,good chemical and physical stability,has recently been given special attention as a potential candidate for antibacterial agents.However,developing novel CuO nanocomposites with i... Copper oxide(CuO),due to its low cost,good chemical and physical stability,has recently been given special attention as a potential candidate for antibacterial agents.However,developing novel CuO nanocomposites with improved antibacterial property and unraveling the interface promotion mechanism has been a fundamental challenge for decades.Herein,well-defined CuO/graphdiyne(CuO/GDY)nanostructures with uniformly anchored CuO nanoparticles(ca.4.5 nm)have been fabricated.The CuO/GDY nanostructure exhibited superior E.coli inactivation efficiency,which is nearly 19 times and 7.9 times higher than the bare GDY and commercial CuO,respectively.The improved E.coli inactivation performance was mainly due to the increased reactive·O_(2)−species generated by the activation of molecular O2 over CuO/GDY surface.These findings demonstrate the efficient antibacterial activity of well-defined CuO/GDY nanostructures and provide insights on the development of efficient GDY-based antibacterial materials. 展开更多
关键词 Graphdiyne CuO/GDY nanocomposite Escherichia coli ANTIBACTERIAL Superoxide radical
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