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气相外延氮化镓掺杂生长的研究
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作者 孟广耀 彭定坤 +3 位作者 胡克鳌 楼吉人 席兰芝 韩星 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1980年第2期99-108,共10页
本文报导了用Ga-HCl-NH3-H2-Ar系统进行GaN掺杂生长的研究。实验结果指出:锌向外延层的并入和生长层的表面形貌显著地受各淀积参数特别是淀积温度的影响。发现存在一个狭窄的温度范围(我们实验条件下,970-1000℃),在该温度范围内,锌骤... 本文报导了用Ga-HCl-NH3-H2-Ar系统进行GaN掺杂生长的研究。实验结果指出:锌向外延层的并入和生长层的表面形貌显著地受各淀积参数特别是淀积温度的影响。发现存在一个狭窄的温度范围(我们实验条件下,970-1000℃),在该温度范围内,锌骤然并入生长层,且生长层具有良好的表面。此外,还进行了锌和磷双掺杂的初步探索试验,结果表明有必要对其进一步开展研究。生长层中杂质的深度分布的分析发现磷和锌的掺入行为不同。根据实验事实,讨论了锌掺杂和晶体生长过程的机理并提出了一个掺杂生长的合理程序。 展开更多
关键词 气相外延 氮化镓 外延层 深度分布 生长层 晶体生长过程 温度范围 GAN
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Growth of Diamond Films by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
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作者 GAO Kelin WANG Chunlin +3 位作者 ZHAN Rujuan peng dingkun MENG Giangyao XIANG Zhilin 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1991年第7期348-351,共4页
Diamond thin films were produced by microwave plasma chemical vapor deposition.The deposit is identified by X-ray diffraction,Raman spectroscopy and Scanning electron microscopy.During the course of diamond growth,the... Diamond thin films were produced by microwave plasma chemical vapor deposition.The deposit is identified by X-ray diffraction,Raman spectroscopy and Scanning electron microscopy.During the course of diamond growth,the characteristics of the plasma have been measured by means of the Langmuir double probe and emission spectrometer. 展开更多
关键词 DEPOSITION DIAMOND MICROWAVE
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