期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
不同m(Zr)/m(Ti)及靶形式在不同衬底上溅射PZT薄膜的研究
1
作者 叶勤 周慎平 pongthep arkornsakul 《暨南大学学报（自然科学与医学版）》 CAS CSCD 2001年第5期59-63,共5页
分别用m(Zr) /m(Ti)配比为 30 / 70、5 3/ 4 7、70 / 30的源材料及陶瓷块状靶和预烧粉末靶的形式 ,在Ag、Au、Pt衬底上溅射制取PZT薄膜 .比较分析了薄膜的钙钛矿结构形成情况 ,所需的热处理温度及铁电特性 .研究表明 :靶材的配比靠近 30... 分别用m(Zr) /m(Ti)配比为 30 / 70、5 3/ 4 7、70 / 30的源材料及陶瓷块状靶和预烧粉末靶的形式 ,在Ag、Au、Pt衬底上溅射制取PZT薄膜 .比较分析了薄膜的钙钛矿结构形成情况 ,所需的热处理温度及铁电特性 .研究表明 :靶材的配比靠近 30 / 70时较容易获得钙钛矿结构 ;用预烧粉末靶或用Ag衬底可降低热处理温度 ;用Au、Pt衬底能得到较好的电学特性 . 展开更多
关键词 PZT薄膜 衬底 智能材料 热处理 铁电材料 锆/钛比 靶形式 溅射制备
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部