Pulsed Laser Deposition ZnS Buffer Layers for CIGS Solar Cells

多晶的 ZnS 电影被搏动的激光免职( PLD )在 20 ， 200 ， 400 ，和 600 °C 的不同底层温度在不同生长条件下面在石英玻璃底层上准备，它是扔的化学洗澡( CBD )的一种合适的选择 CdS 作为在 Cu 的缓冲区层(在里面， Ga ) Se 2(帝国参谋总长)太阳能电池。X 光检查衍射研究显示这些电影与锌闪锌矿结构是多晶的，他们沿着立方的阶段 β-ZnS (111 ) 展出优先的取向方向，哪个与由 ZnS 电影由脉搏 plating 技术扔了的 Murali 的 wurtzite 结构的结论的冲突与 wurtzite 是多晶的结构。成年电影的拉曼系列在通常在立方的阶段 β-ZnS 混合物观察的约 350 厘米 −1, 显示出一个 1 模式。平面并且代表性的形态学被扫描电子观察显微镜。稠密的、光滑的、一致谷物通过 PLD 技术在石英玻璃底层上被形成。PLD 扔的 ZnS 的谷物尺寸是比由常规 CBD 方法的 CdS 的小得多的，它作为有害房间性能的主要原因被分析。ZnS 电影的作文被 X 光检查荧光也测量。在这个工作获得的典型 ZnS 电影在 stoichiometric 和仅仅小数量附近 S 富有。在不同温度的精力乐队差距被吸收光谱学测量获得，它与增加免职温度从 3.2 eV 增加到 3.7 eV。ZnS 让一个更宽的精力乐队比 CdS (2.4 eV ) 豁开，它能提高光电的房间的蓝反应。这些结果出现这些代用品缓冲区层材料高质量通过一种所有干燥的技术被准备，它能在帝国参谋总长薄电影太阳能电池的制造被使用。