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酞菁钴界面修饰的Cu_xS·CdS复合硫化物光催化剂
被引量:
4
1
作者
吕功?
李树本
+1 位作者
SavinovEN
parmonvn
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第9期790-795,共6页
报导了酞菁钴负载到CuxS和CdS半导体界面合成的一种新型光催化剂,并对其光催化分解H2S的活性进行了考察,同时研究了酞菁钴分子与半导体相互作用及其时催化性能的影响.实验结果表明,CoPc的负载能够显著提高复合硫化物性化剂光解H2S...
报导了酞菁钴负载到CuxS和CdS半导体界面合成的一种新型光催化剂,并对其光催化分解H2S的活性进行了考察,同时研究了酞菁钴分子与半导体相互作用及其时催化性能的影响.实验结果表明,CoPc的负载能够显著提高复合硫化物性化剂光解H2S的活性,在一定条件下,能使反应速率提高2-3倍.活性的增加与CoPc加入量呈现非线性关系,且制备过程不同,催化剂活性的变化规律也不同.先负载到CuxS表面表现出更为明显的促进作用.废物浓度与CoPc的加入量也呈现出非线性关系,在低的底物浓度下CoPc对活性有相对显著的促进作用.在CoPc的DMF溶液中加入10-5mol·L-1的Cu2+负载后的结果表明,Cu2+的加入使催化剂活性大幅度提高,这可能与Cu2+和Co2+交换后形成的CuPc使催化剂吸光波长红移有关.本文还就可能的电子转移机制进行了探讨.
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关键词
酞菁
钴
界面修饰
复合硫化物
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职称材料
题名
酞菁钴界面修饰的Cu_xS·CdS复合硫化物光催化剂
被引量:
4
1
作者
吕功?
李树本
SavinovEN
parmonvn
机构
中国科学院兰州化学物理研究所羰基合成与选择氧化国家重点实验室
俄罗斯科学院新西伯利亚催化研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第9期790-795,共6页
文摘
报导了酞菁钴负载到CuxS和CdS半导体界面合成的一种新型光催化剂,并对其光催化分解H2S的活性进行了考察,同时研究了酞菁钴分子与半导体相互作用及其时催化性能的影响.实验结果表明,CoPc的负载能够显著提高复合硫化物性化剂光解H2S的活性,在一定条件下,能使反应速率提高2-3倍.活性的增加与CoPc加入量呈现非线性关系,且制备过程不同,催化剂活性的变化规律也不同.先负载到CuxS表面表现出更为明显的促进作用.废物浓度与CoPc的加入量也呈现出非线性关系,在低的底物浓度下CoPc对活性有相对显著的促进作用.在CoPc的DMF溶液中加入10-5mol·L-1的Cu2+负载后的结果表明,Cu2+的加入使催化剂活性大幅度提高,这可能与Cu2+和Co2+交换后形成的CuPc使催化剂吸光波长红移有关.本文还就可能的电子转移机制进行了探讨.
关键词
酞菁
钴
界面修饰
复合硫化物
Keywords
CoPc, Composite sulfide, Interface modification, Microheterojunction,Photocatalyst
分类号
O643.3 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
酞菁钴界面修饰的Cu_xS·CdS复合硫化物光催化剂
吕功?
李树本
SavinovEN
parmonvn
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994
4
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