先进封装和MEMS应用的超厚抗蚀剂光刻技术(英文)

微电子机械系统(MEMS)制造和先进的封装技术更需要厚抗蚀剂层。在MEMS应用领域包括体硅微机械加工、表面微机械加工和有源器件结构的实际制作。对先进的封装技术,应用再分布和蚀化层以及金属焊凸微成型。各种用途要求抗蚀剂厚度能达到和超过1000μm。为适当地获得这些厚度,制造商开发了适当的涂层材料。这些材料包括AZP4620.ShipleySPR220\AIPLP100XT、JSRTHB611P和SU-8。最终开发了处理这些材料的设备,制作了专用的涂胶设备和接触?接近式曝光机。

EVG2010新品展示及市场预计

尽管2009年全球经济依旧衰退，但也有一定技术亮点支撑着产业。现实证明2009年EVG公司又是一个增长的年份。我们目睹了由于对批量制造的例如CMOS图像传感器封装和晶圆级光学元件生产市场需求，来自研究机构和著名大学订单需求的增加，3D／TSV．相关设备的订单额日益增加。

用于聚合物基微流体MEMS的等离子体活性晶圆键合技术(英文)

Lab-on-chip或μ-TAS（micro—total arialysis systems）结合流体处理、检测及数据分析，是一种便携式的低成本高效器件。在微流体应用中，聚合物具有比硅或玻璃器件更明显的优势，它包括：宽泛的材料选择性，成本低、效率高，使用任意性，生物兼容性，抗化学品和工艺灵活性。为了实现采用这类材料制备小型集成化系统，我们发展了新的制备与封装技术。这项工作着眼于运用等离子体活化低温直接键合技术实现纳／微结构聚合物在低温条件下进行封装。由纳米压印光刻制作的纳／微结构的聚合物器件，可能是异质（聚合物与玻璃或硅）或同质（聚合物与聚合物）键合。为了改进键合材料的物理和化学熔合，键合工序通常在接近聚合物的玻璃化转变温度的高温下进行。但遗憾的是，高温损伤了微细图形，特别是对于高深宽比结构。在EVG 810LT等离子体反应室里，我们采用软射频频率等离子体表面处理，来进行聚合物的等离子体活化，它能在不改变聚合物体特性的前提下清洗和活化聚合物顶层。最终结果是，在EVG 501晶圆键合机上，两个活化的表面在低温下通过施加一个适中的、均匀的接触压力而连接在一起，保证了空腔密封并防止了小结构的破坏和变形。键合工艺条件为：真空条件为从大气到200～1000Pa、接触压力为2～5kN、温度从室温到80℃。