Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化

在室温和773 K下,使用能量为5 MeV,注量为3×10^(13),6×10^(13)cm^(-2)的Xe离子辐照了不同组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x=0.32,0.47,0.7,0.8,0.9,1.0)薄膜。利用X射线光电子能谱和光学显微镜对辐照前后薄膜的化学组分和表面形貌进行了表征。结果表明,Xe离子辐照造成了In_(x)Ga_(1-x)N薄膜的辐射分解和表面氧化,氧化程度随In组分x的增加而增强。与室温下的离子辐照相比,在773 K温度下进行辐照时,薄膜中辐照缺陷的积聚速率明显减慢;但当离子注量从3×10^(13)cm^(-2)增加至6×10^(13)cm^(-2)时,薄膜的损伤速率显著加快。与富Ga组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x<0.5)薄膜不同,富In组分的薄膜在Xe离子辐照后发生了起皮和剥落现象,表现出明显较差的抗辐照能力。

DETA沉淀回收法中有机铑沉淀的消解方法与测定方法

研究了DETA沉淀回收法中有机铑沉淀的消解方法和测定方法。采用王水消解体系,聚四氟乙烯罐密闭高温消解法,可使铑转入无机酸体系,方法简单方便。所得试液采用水相分光光度法、电感耦合等离子体发射光谱法和硝酸六铵合钴重量法进行对比测定,比较测定方法的精密度,并在消解液中加入铑标准溶液测定加标回收率考察各测定方法的准确度。结果表明3种测定方法均具有较好的精密度和准确度,重量法更适合高含量样品中的铑的测定。

醋酸生产废液中碘和铑的回收工艺试验研究

本研究采用氧化析出-升华精制-置换吸附工艺,从醋酸生产废液中回收碘和铑,考察了不同氧化剂对废液中碘的氧化析出效果、不同置换方式的置换效果和选定条件下的置换回收率。试验结果表明,以硝酸为氧化剂,通过升华精制可回收废液中69.86%~72.61%的碘,过滤液采用铁粉置换+活性炭吸附方式可富集回收废液中的铑,置换回收率保持在94.39%~99.94%,渣中铑的质量分数得到提高,介于2.45%~3.65%。

3-2 A Study on Nano-indentation of 4H-SiC Irradiated by He and Si Ions

Part of single crystal 4H-SiC wafers were implanted with 230 keV He+ ion at room temperature (RT) with fluences in the range 1.0  1015 2.0  1016 (0.040.8 dpa). The last single crystal 4H-SiC were implanted with 230 keV Si5+ ion at RT with fluences in the range 1.0  1015 1.0  1017 (0.044.0 dpa). Hardness versus maximum penetration depth curves for unimplanted 4H-SiC, and He/Si ion implanted 4H-SiC at different fluences. Nanoindentation was performed to investigate the hardening behavior of single crystals 4H-SiC under irradiation.