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基于混合PN/肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管 被引量：1
1
作者 peter wannian huang Junyang Luo 《电子设计技术 EDN CHINA》 2006年第11期92-92,94,96-97,共4页
第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。
关键词 肖特基二极管 肖特基结构 SIC 混合 电流处理 动态性能 碳化硅 第二代
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