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金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究
被引量:
4
1
作者
秦明
Yuen
c
Y
+1 位作者
poon vincent m c
黄庆安
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期345-349,共5页
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度...
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响 。
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关键词
金属诱导横向晶化
晶化速度
镍诱导源
晶化波
多晶硅生长
下载PDF
职称材料
题名
金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究
被引量:
4
1
作者
秦明
Yuen
c
Y
poon vincent m c
黄庆安
机构
东南大学微电子中心
香港科技大学电子与电机工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期345-349,共5页
文摘
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响 。
关键词
金属诱导横向晶化
晶化速度
镍诱导源
晶化波
多晶硅生长
Keywords
metal-induced lateral crystallization
crystall ization rate
Ni source
crystallization wave
分类号
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究
秦明
Yuen
c
Y
poon vincent m c
黄庆安
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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职称材料
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