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低R_(ds(on))P沟道技术
1
作者
prasad venkatraman
《电子设计应用》
2003年第5期71-73,共3页
关键词
功率MOSFET
导通电阻
立式器件
低Rds(on)P沟道技术
下载PDF
职称材料
题名
低R_(ds(on))P沟道技术
1
作者
prasad venkatraman
机构
安森美半导体
出处
《电子设计应用》
2003年第5期71-73,共3页
关键词
功率MOSFET
导通电阻
立式器件
低Rds(on)P沟道技术
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
低R_(ds(on))P沟道技术
prasad venkatraman
《电子设计应用》
2003
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