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45nm PCRAM对GST CMP的挑战和解决方法
1
作者
Li Jiang
Feng Chen
+5 位作者
pulei zhu
Mingqi Li
Hongtao Liu
Guanping Wu
Ming Zhong
AoDong He
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期183-185,共3页
本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具...
本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具证明适用于GST CMP工艺的在线和离线监控。
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关键词
PCRAM
稀释比例
磨料
辅料
CMP
抛光垫
GST
CMP
过抛光
抛光液
解决方法
原文传递
题名
45nm PCRAM对GST CMP的挑战和解决方法
1
作者
Li Jiang
Feng Chen
pulei zhu
Mingqi Li
Hongtao Liu
Guanping Wu
Ming Zhong
AoDong He
机构
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp
Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期183-185,共3页
文摘
本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具证明适用于GST CMP工艺的在线和离线监控。
关键词
PCRAM
稀释比例
磨料
辅料
CMP
抛光垫
GST
CMP
过抛光
抛光液
解决方法
分类号
TB34-55 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
45nm PCRAM对GST CMP的挑战和解决方法
Li Jiang
Feng Chen
pulei zhu
Mingqi Li
Hongtao Liu
Guanping Wu
Ming Zhong
AoDong He
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013
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