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HVIC设计中CMOS静态闭锁效应研究
1
作者
q. huang
陈其林
《微电子学》
CAS
CSCD
1990年第5期48-51,共4页
用SPICE程序研究了制作在高压集成电路(HVIC)薄外延层上的CMOS器件的静态闭锁效应。与传统的CMOS结构相比,图形的布局和高压器件的衬底电流对CMOS闭锁均有重要的影响。邻近高压器件的nMOS,由于有一额外的pnpn通道,因而存在一特殊的闭锁...
用SPICE程序研究了制作在高压集成电路(HVIC)薄外延层上的CMOS器件的静态闭锁效应。与传统的CMOS结构相比,图形的布局和高压器件的衬底电流对CMOS闭锁均有重要的影响。邻近高压器件的nMOS,由于有一额外的pnpn通道,因而存在一特殊的闭锁条件。根据图形的布局,为了消除闭锁条件,研究结果认为,用pMOS管邻接于高压器件是最合适的。结果还表明,CMOS器件的闭锁可通过将器件制作在p^-衬底的n^-外延层上而得以改进。
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关键词
HVIC
高压集成电路
CMOS
闭锁效应
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职称材料
题名
HVIC设计中CMOS静态闭锁效应研究
1
作者
q. huang
陈其林
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1990年第5期48-51,共4页
文摘
用SPICE程序研究了制作在高压集成电路(HVIC)薄外延层上的CMOS器件的静态闭锁效应。与传统的CMOS结构相比,图形的布局和高压器件的衬底电流对CMOS闭锁均有重要的影响。邻近高压器件的nMOS,由于有一额外的pnpn通道,因而存在一特殊的闭锁条件。根据图形的布局,为了消除闭锁条件,研究结果认为,用pMOS管邻接于高压器件是最合适的。结果还表明,CMOS器件的闭锁可通过将器件制作在p^-衬底的n^-外延层上而得以改进。
关键词
HVIC
高压集成电路
CMOS
闭锁效应
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
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1
HVIC设计中CMOS静态闭锁效应研究
q. huang
陈其林
《微电子学》
CAS
CSCD
1990
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