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光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响 被引量:1
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作者 陈澜 吴瑾照 +5 位作者 龙浩 史晓玲 应磊莹 郑志威 丘志仁 张保平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期48-54,共7页
围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子... 围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱。计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47。光学测试发现样品A有着更高的内量子效率(IQE)和更高的辐射复合效率。使用两种样品制作了光泵VCSEL结构,在光激发下实现激射,其中基于样品A的VCSEL有着更低的激射阈值。结果表明有源区结构会显著影响量子阱与光场的耦合作用、外延片的内量子效率、辐射复合寿命和VCSEL激射阈值,同时也说明样品A的有源区结构更有利于制作低阈值的VCSEL器件。 展开更多
关键词 有源区 相对光限制因子 内量子效率 复合寿命 垂直腔面发射激光器
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Fluorescence-Detected Ultrafast Free-Induction Decay in Powdered Rare Earth Solids
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作者 LUO Qi DAI De-Chang +4 位作者 YU Xiang-Yang qiu zhi-ren ZHOU Jian-Ying YAN Chun-Hua CHEN Zhi-Da 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2000年第2期101-103,共3页
Fluorescence interferometry is developed and applied to study ultrafast amplitude and phase dynamics for fleeinduction decay in powdered rare earth solids. The time-resolved phase dynamics of free-induction decay thro... Fluorescence interferometry is developed and applied to study ultrafast amplitude and phase dynamics for fleeinduction decay in powdered rare earth solids. The time-resolved phase dynamics of free-induction decay throughout the decaying process is accurately determined by using a novel dual-channel correlation technique and subpicosecond dephasing time is measured for Nd3+ solids at room temperature. The phase dynamics is well simulated with linear coherent polarization theory. 展开更多
关键词 temperature THEORY FLUORESCENCE
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Femtosecond Reflections of Bulk GaAs and GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells
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作者 LI Wei-liang qiu zhi-ren +3 位作者 PENG Wen-ji HUANG Xu-guang ZHOU Jian-ying YU Zhen-xin 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1996年第3期237-240,共4页
We present room temperature femtosecond rejection studies on the photocarrier dynamics of GaAs and GaAs/AlGaAs multiple quantum wells(MQW).A rising wing with a time constant of about.5 ps and an increased amplitude pe... We present room temperature femtosecond rejection studies on the photocarrier dynamics of GaAs and GaAs/AlGaAs multiple quantum wells(MQW).A rising wing with a time constant of about.5 ps and an increased amplitude per carrier is observed for the MQW sample at carrier densities lower than 5×10^(11) cm^(-2).This phenomenon is explained as the saturation of the excitonic transitions. 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS FEMTO QUANTUM
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