金红石TiO_(2)纳米线忆阻器的制备及阻变存储机制

本工作采用简单高效的一步水热法工艺制备了具有一维有序结构的金红石TiO_(2)纳米线阵列,设计了Au/TiO_(2)/FTO器件结构的金红石TiO_(2)纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变存储特性和存储机制,构建了器件基于氧空位迁移的非线性阻变存储机制模型。结果表明,Au/TiO_(2)/FTO结构金红石TiO_(2)纳米线忆阻器具有非易失性的双极性阻变存储特性,器件的阻变开关比可以稳定地保持在10^(2)以上。此外,器件在低阻态时满足线性的欧姆导电特性,在高阻态时服从陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,而器件的阻变存储行为则遵循基于氧空位迁移的非线性离子迁移阻变存储机制,研究结果表明金红石TiO_(2)纳米线忆阻器在下一代非易失性存储器方面具有重要的应用潜力。

α-Fe_(2)O_(3)纳米棒的水热合成与阻变开关特性研究

采用水热法合成了沿[110]方向具有优先生长取向的α-Fe_(2)O_(3)纳米棒,设计了具有非易失性阻变开关性能的W/α-Fe2O_(3)/FTO阻变存储器。对W/α-Fe_(2)O_(3/)FTO器件的阻变开关特性进行分析发现,W/α-Fe_(2)O_(3)/FTO阻变存储器的电阻比(RHRS/RLRS)在一个数量级以上,可保持100 s以上而无明显下降。此外,器件的载流子运输特性分别由LRS下的欧姆传导机制和HRS下的陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制决定。由氧空位的迁移引起的纳米导电细丝的部分形成与断裂可以解释W/α-Fe_(2)O_(3)/FTO阻变存储器的非易失性阻变开关行为。因此,基于α-Fe_(2)O_(3)纳米棒的阻变存储器件可能是下一代非易失性存储应用的潜在候选器件。

基于TiO2忆阻器的混沌系统研究

将基于离子漂移模型建立的TiO_(2)忆阻器作为非线性模块,设计一个可以产生独特吸引子的忆阻混沌系统。首先通过水热法工艺制作纳米忆阻器件,并分析该忆阻器的电学特性。其次对器件的电学特性进行拟合,采用离子漂移模型建立Au/TiO_(2)/FTO忆阻器的数学模型,令模型产生的电流电压(I-U)曲线与收集到的Au/TiO_(2)/FTO忆阻器电学特性数据相吻合。为了说明该忆阻模型的有效性,改变施加在模型两侧的电压信号频率,发现忆阻模型I-U曲线滞回面积减小,当频率增加到50 Hz左右时曲线趋向一条直线,仿真结果表明该模型符合忆阻器的特性。最后设计了基于忆阻器的混沌电路,将忆阻模型与电容电感串联形成MLC电路,调整电路中的电感值参数大小,令系统进入混沌状态,产生混沌吸引子。为了分析系统动力学特性,绘制混沌系统分岔图,发现不同参数值会令电路系统在混沌态与周期态之间转换,根据系统分岔图改变参数,说明吸引子阐述的系统状态与分岔图阐述的状态基本一致。采用复杂忆阻模型设计混沌系统,研究结果为忆阻混沌系统的发展提供实验基础。

A Cultural Analysis of the Universal Declaration of Human Rights

On December 10, 1948, the General Assembly of the United Nations adopted and proclaimed the Universal Declaration of Human Rights （hereinafter referred to as the Declaration）. Since then, not a single country, group, cultural sphere or religion has expressly challenged its correctness and applicability. Meanwhile, few countries have practiced the Declaration in its entirety.