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800MHz～5GHz单芯片RF IC的开发
1
作者
r. bagheri
A.Mi
r
zaei
+1 位作者
S.Cheh
r
azi
王毅（译）
《电子设计应用》
2006年第8期68-76,73-74+76,共9页
关键词
联合开发
RFIC
单芯片
美国加州大学
CMOS工艺
风险投资
高频信号
RF电路
电路芯片
下载PDF
职称材料
题名
800MHz～5GHz单芯片RF IC的开发
1
作者
r. bagheri
A.Mi
r
zaei
S.Cheh
r
azi
王毅（译）
机构
美国加州大学洛杉矶分校
美国Wilinx公司
不详
出处
《电子设计应用》
2006年第8期68-76,73-74+76,共9页
关键词
联合开发
RFIC
单芯片
美国加州大学
CMOS工艺
风险投资
高频信号
RF电路
电路芯片
分类号
TN929.5 [电子电信—通信与信息系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
800MHz～5GHz单芯片RF IC的开发
r. bagheri
A.Mi
r
zaei
S.Cheh
r
azi
王毅（译）
《电子设计应用》
2006
0
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引证文献
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