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用电晕充电方法评价高压集成电路
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作者 r.b.comizzoli 付刚毅 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第4期50-55,共6页
许多高压集成电路对表面离子都很敏感,当这些表面离子产生的净电荷在某些器件区域积累到一定数量时,将导致器件击穿电压的下降或漏电流增加。本文提出了一种技术,它通过在标准大气压下放电,有意识地把离子淀积到器件表面上,以此来研究... 许多高压集成电路对表面离子都很敏感,当这些表面离子产生的净电荷在某些器件区域积累到一定数量时,将导致器件击穿电压的下降或漏电流增加。本文提出了一种技术,它通过在标准大气压下放电,有意识地把离子淀积到器件表面上,以此来研究表面离子对器件性能的影响;并且说明了这种技术在评价器件设计、改进加工工艺和失效率分析方面的应用。我们采用这种技术分析了不同的电介质隔离槽深、场板尺寸和场梯度散布对表面离子敏感度的影响,同时给出了在失效率分析方面的三个实例。 展开更多
关键词 电晕充电法 集成电路 高压 评价
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