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化学沉积钴的磁滞及不归零飽和记彔特征
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作者 r.d.fisher 李金堂 《计算机工程与应用》 1967年第1期35-41,共7页
本文讨论了制取厚度从3,000A到56,000A的化学沉积钴带问题。钴带不归零饱和记录特性是镀层厚度的函数。钴带的磁滞特性、表面特性与记录特性已被测出。记录特性的测定是在封闭磁带环传输机构上用交替磁通量反转的方式(1010等等)完成的... 本文讨论了制取厚度从3,000A到56,000A的化学沉积钴带问题。钴带不归零饱和记录特性是镀层厚度的函数。钴带的磁滞特性、表面特性与记录特性已被测出。记录特性的测定是在封闭磁带环传输机构上用交替磁通量反转的方式(1010等等)完成的。记录特性主要依赖于镀层厚度和迴线形状。本文还讨论了与记录特性有关的自去磁磁场及记录磁头边缘磁场的作用。钴带的磁滞特性、饱和记录特征及表面特征在相同条件下与商用氧化物磁带作了比较。 磁滞特性,矫顽力,剩余磁通密度,矩形比,不归零饱和记录,运带机构,存贮密度,脉冲宽度,饱和电流,信号,记录磁头边缘磁场(Fringing Field),自去磁现象,各向异性,化学沉积。 展开更多
关键词 厚度 密度 函数 记录特性 矫顽力 矫顽场 磁化 磁带 计算机外围设备 化学沉积 化学镀
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