拍击雷管系统的诊断

引言在美国战备协会弹药技术部引信分部1976年的年会上,劳伦斯·利物莫尔(LawrenceLivermore)国家实验室的约翰·斯特劳特(John Stroud)发表了一篇《一种新型雷管——拍击雷管》的论文。在这篇论文中。斯特劳特首次提出了拍击雷管的概念。

超低噪声毫米波PHEMT

以AlGaAs/InGaAs/GaAs为基础的十分之一微米栅长PHEMT器件在43GHz下提供了最优良的低噪声性能。测量的室温器件噪声系数为1.32dB(噪声温度=103K),相关增益6.7dB,在17K物理温度下,噪声系数为0.36dB(噪声温度=25K),相关增益为6.9dB,这是目前报道的43GHz下GaAs基器件的最低噪声系数。