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低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤
被引量:
4
1
作者
叶志镇
Z.Zhou
r.reif
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第2期113-117,共5页
本文研究了在超高真空低温CVD(chemicalvapordeposition)硅外延中,ECR(electroncyclotronresonance)微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜(TEM)照片表明,界面引起的损伤是较严重的,损伤层的宽度与...
本文研究了在超高真空低温CVD(chemicalvapordeposition)硅外延中,ECR(electroncyclotronresonance)微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜(TEM)照片表明,界面引起的损伤是较严重的,损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。
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关键词
低温硅外延
溅射清洗
界面损伤
薄膜
界面
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职称材料
新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究
2
作者
叶志镇
Z.H.Zhou
r.reif
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第5期330-335,共6页
为实现低温低压外延新工艺,建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD(chemicalvapordeposition)外延设备,并用此设备,(100)和(111)硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透...
为实现低温低压外延新工艺,建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD(chemicalvapordeposition)外延设备,并用此设备,(100)和(111)硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透射电镜(XTEM)照片表明,低温硅外延层中存在一些缺陷,这些缺陷都由衬底表面引起的,然后扩展进入外延层。此外,衬底{100}Si和{111}Si因晶向不同,不仅获得外延层所需的最低温度不同,而且外延层中的缺陷特征差异也很大。
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关键词
超高真空
CVD
低温低压
硅外延
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职称材料
题名
低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤
被引量:
4
1
作者
叶志镇
Z.Zhou
r.reif
机构
浙江大学高纯硅国家重点实验室
美国麻省理工学院
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第2期113-117,共5页
文摘
本文研究了在超高真空低温CVD(chemicalvapordeposition)硅外延中,ECR(electroncyclotronresonance)微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜(TEM)照片表明,界面引起的损伤是较严重的,损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。
关键词
低温硅外延
溅射清洗
界面损伤
薄膜
界面
Keywords
Low-temperature Si epitaxy, ECR plasma, Sputtering cleaning, Interfacial damage
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究
2
作者
叶志镇
Z.H.Zhou
r.reif
机构
浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室
美国麻省理工学院
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第5期330-335,共6页
文摘
为实现低温低压外延新工艺,建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD(chemicalvapordeposition)外延设备,并用此设备,(100)和(111)硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透射电镜(XTEM)照片表明,低温硅外延层中存在一些缺陷,这些缺陷都由衬底表面引起的,然后扩展进入外延层。此外,衬底{100}Si和{111}Si因晶向不同,不仅获得外延层所需的最低温度不同,而且外延层中的缺陷特征差异也很大。
关键词
超高真空
CVD
低温低压
硅外延
Keywords
Ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, Low temperature and low pressure, Silicon epitaxy
分类号
TB753.3 [一般工业技术—真空技术]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤
叶志镇
Z.Zhou
r.reif
《真空科学与技术》
CSCD
1995
4
下载PDF
职称材料
2
新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究
叶志镇
Z.H.Zhou
r.reif
《真空科学与技术》
CSCD
1994
0
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职称材料
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