低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤

本文研究了在超高真空低温CVD（chemicalvapordeposition）硅外延中，ECR（electroncyclotronresonance）微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜（TEM）照片表明，界面引起的损伤是较严重的，损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。

新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究

为实现低温低压外延新工艺，建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD（chemicalvapordeposition）外延设备，并用此设备，（100）和（111）硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透射电镜（XTEM）照片表明，低温硅外延层中存在一些缺陷，这些缺陷都由衬底表面引起的，然后扩展进入外延层。此外，衬底｛100｝Si和｛111｝Si因晶向不同，不仅获得外延层所需的最低温度不同，而且外延层中的缺陷特征差异也很大。