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Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
1
作者
屈新萍
茹国平
+2 位作者
李炳宗
C.Detavernier
r.van meirhaeghe
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1173-1177,共5页
研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经...
研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经典成核理论解释了该现象 .
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关键词
NISI
成核
固熔体
热稳定性
硅化镍
集成电路
镍钯硅三元化合物
Ni/Pd/Si固相反应
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职称材料
题名
Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
1
作者
屈新萍
茹国平
李炳宗
C.Detavernier
r.van meirhaeghe
机构
复旦大学微电子学系ASIC和系统国家重点实验室
Departement of Solid State Science
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1173-1177,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 )
上海市教委和上海教育发展基金会曙光计划
+1 种基金
中国教育部博士点基金
国家科委 -比利时弗兰德合作资助项目~~
文摘
研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经典成核理论解释了该现象 .
关键词
NISI
成核
固熔体
热稳定性
硅化镍
集成电路
镍钯硅三元化合物
Ni/Pd/Si固相反应
Keywords
NiSi
nucleation
solid solution
thermal stability
分类号
TN304.54 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
屈新萍
茹国平
李炳宗
C.Detavernier
r.van meirhaeghe
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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