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电子束蒸发法沉积PLA基载药复合薄膜及其抗菌性能
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作者 李贝贝 何纯 +4 位作者 江晓红 YaRMOLENKO M a PILIPTSOU D G rogachev a a rogachev a v 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第6期743-750,共8页
以不同质量比的聚乳酸(PLA)和环丙沙星(CIP)作为靶材(PLA与CIP的质量比为1∶2、1∶1和2∶1),通过低功率电子束蒸发法(EBD)沉积3种比例的PLA基环丙沙星复合薄膜。采用X线光电子能谱仪(XPS)、核磁共振波谱仪(NMR)、场发射扫描电子显微镜(F... 以不同质量比的聚乳酸(PLA)和环丙沙星(CIP)作为靶材(PLA与CIP的质量比为1∶2、1∶1和2∶1),通过低功率电子束蒸发法(EBD)沉积3种比例的PLA基环丙沙星复合薄膜。采用X线光电子能谱仪(XPS)、核磁共振波谱仪(NMR)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和原子力显微镜(AFM)分析复合薄膜成分、结构和表面形貌,采用紫外可见分光光度计(UVVis)分析复合薄膜的药物释放动力学性能,运用琼脂扩散法测试复合薄膜抗菌性能及缓释抗菌性能。结果表明:3种PLA和CIP不同质量比的复合薄膜均可通过电子束蒸发法成功制备,复合薄膜在基底上分布较为均匀,呈现颗粒状或椭球状形貌,但薄膜样品的均方根粗糙度(Rq)相差明显,随着PLA含量的增加,Rq呈减小趋势;通过考查薄膜形貌结构、抗菌性能及动力学释放行为这几方面因素,得到靶材m(PLA)∶m(CIP)=1∶1时,复合薄膜的综合性能最佳,该比例的复合薄膜即使在生理盐水中浸泡168 h后,仍对金黄色葡萄球菌具有抗菌活性,与浸泡24 h后的复合膜相比,抑菌圈直径减少不超过37%。 展开更多
关键词 电子束蒸发法 聚乳酸(PLA) 环丙沙星(CIP) PLACIP复合薄膜 抗菌性能 缓释抗菌性能
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聚合物复合薄膜改性橡胶表面结构及其摩擦性能研究 被引量:11
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作者 江晓红 Yarmolenko M a +2 位作者 rogachev a v 杨绪杰 陆路德 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期106-111,共6页
采用真空电子束分散聚氨酯、聚四氟乙烯及其混合物靶材制备单层、双层和复合薄膜改性丁腈橡胶表面,在MMT型球-盘微摩擦磨损试验机上评价其摩擦性能.结果表明,当混合物靶材中聚氨酯和聚四氟乙烯质量比为1∶1时,复合薄膜的摩擦系数较低,... 采用真空电子束分散聚氨酯、聚四氟乙烯及其混合物靶材制备单层、双层和复合薄膜改性丁腈橡胶表面,在MMT型球-盘微摩擦磨损试验机上评价其摩擦性能.结果表明,当混合物靶材中聚氨酯和聚四氟乙烯质量比为1∶1时,复合薄膜的摩擦系数较低,辉光放电等离子体预处理橡胶基体表面对薄膜结构及其摩擦性能影响显著. 展开更多
关键词 聚合物膜 聚四氟乙烯 聚氨酯 表面改性 丁腈橡胶 摩擦性能
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热处理对类金刚石碳薄膜力学和摩擦性能的影响 被引量:4
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作者 江晓红 金元生 +2 位作者 KaZaCHENKO v P POPOv a N rogachev a v 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期212-215,共4页
利用直流磁分离及脉冲阴极双激发源等离子弧薄膜沉积装置制备了含Ti底层和无Ti底层的类金刚石碳薄膜(DLC);采用纳米硬度计、原子力显微镜和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的力学性能和结构;采用УСК-1型球-盘滑动摩擦磨损试验机考察了... 利用直流磁分离及脉冲阴极双激发源等离子弧薄膜沉积装置制备了含Ti底层和无Ti底层的类金刚石碳薄膜(DLC);采用纳米硬度计、原子力显微镜和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的力学性能和结构;采用УСК-1型球-盘滑动摩擦磨损试验机考察了薄膜的摩擦性能.结果表明,同无Ti底层的DLC薄膜相比,含Ti底层的DLC薄膜的硬度和弹性模量较低;含Ti底层的DLC薄膜经真空400℃退火后表面层中存在TiO2,内部存在TiC;而无Ti底层的DLC薄膜经真空500℃退火处理后硬度、弹性模量和表面形貌几乎保持不变;无Ti底层的DLC薄膜经空气中500℃退火后摩擦系数明显降低,这是由于DLC薄膜在空气中热处理时更易发生石墨化所致. 展开更多
关键词 类金刚石碳薄膜 Ti底层 热处理 力学性能 摩擦性能
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N掺杂TiO_2复合膜中N晶格位置转变
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作者 刘光辉 江晓红 +3 位作者 庄玉召 陆路德 PILIPTSOU D G rogachev a v 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第6期70-75,共6页
采用磁过滤真空直流阴极弧蒸发工艺在石英基底上沉积N掺杂Ti薄膜,随后将其在马弗炉中以不同的退火温度(100~700℃)热处理制备N掺杂TiO2薄膜,采用X线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、X线光电子能谱( XPS)和扫描电子显微镜( ... 采用磁过滤真空直流阴极弧蒸发工艺在石英基底上沉积N掺杂Ti薄膜,随后将其在马弗炉中以不同的退火温度(100~700℃)热处理制备N掺杂TiO2薄膜,采用X线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、X线光电子能谱( XPS)和扫描电子显微镜( SEM)分析表征。结果表明:初始态N掺杂Ti薄膜为包含少量TiN相的Ti薄膜,在300℃退火处理时,N掺杂Ti薄膜直接氧化生成N掺杂金红石相TiO2薄膜。初始态的N掺杂Ti薄膜表面平整、颗粒细密,与基底附着牢固,经700℃退火处理后,TiO2颗粒得到了良好的结晶生长,薄膜厚度增加了60%。当热处理温度为600℃时,N掺杂TiO2复合膜中替代型N开始转变为填隙型N,由于填隙型N具有更高的能级,这种N位置的转变进一步窄化了N掺杂TiO2的能带宽度,提高了对可见光的利用率。 展开更多
关键词 N掺杂Ti薄膜 N掺杂TIO2 薄膜 替代型N 填隙型N
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