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An analytical model for the cut off frequency and noise of AIGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMTs）
1
作者
rajab yahyazadeh
Zahra Hashempour
+1 位作者
Manouchehr Kalafi
Mohammad Reza Aboulhasani
《材料科学与工程（中英文版）》
2009年第12期22-25,共4页
关键词
HEMT器件
高电子迁移率晶体管
计算模型
截止频率
噪声分析
GaN
界面陷阱密度
氮化镓
下载PDF
职称材料
题名
An analytical model for the cut off frequency and noise of AIGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMTs）
1
作者
rajab yahyazadeh
Zahra Hashempour
Manouchehr Kalafi
Mohammad Reza Aboulhasani
机构
Department of Physics
Research Institute for Applied Physics
Department of Physics
出处
《材料科学与工程（中英文版）》
2009年第12期22-25,共4页
关键词
HEMT器件
高电子迁移率晶体管
计算模型
截止频率
噪声分析
GaN
界面陷阱密度
氮化镓
Keywords
AlGaN/GaN
noise
cut off frequency
gate length
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN32 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
An analytical model for the cut off frequency and noise of AIGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMTs）
rajab yahyazadeh
Zahra Hashempour
Manouchehr Kalafi
Mohammad Reza Aboulhasani
《材料科学与工程（中英文版）》
2009
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