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新型CD-SEM套刻法改进双沟道图形化CDU
被引量:
1
1
作者
Ilan Englard
Rich Piech
+2 位作者
Liraz Gershtein
ram peltinov
Ofer Adan
《集成电路应用》
2008年第4期31-33,共3页
采用一种沟道内置沟道的套刻标记和自动工艺控制策略,双沟道图形化相关的CD均匀性问题可保持在具有量产价值的范围内。
关键词
双沟道
CDU
图形化
套刻
控制策略
均匀性
内置
下载PDF
职称材料
题名
新型CD-SEM套刻法改进双沟道图形化CDU
被引量:
1
1
作者
Ilan Englard
Rich Piech
Liraz Gershtein
ram peltinov
Ofer Adan
机构
Applied Materials Inc.Santa Clara
出处
《集成电路应用》
2008年第4期31-33,共3页
文摘
采用一种沟道内置沟道的套刻标记和自动工艺控制策略,双沟道图形化相关的CD均匀性问题可保持在具有量产价值的范围内。
关键词
双沟道
CDU
图形化
套刻
控制策略
均匀性
内置
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
新型CD-SEM套刻法改进双沟道图形化CDU
Ilan Englard
Rich Piech
Liraz Gershtein
ram peltinov
Ofer Adan
《集成电路应用》
2008
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